RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
2488
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link