RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
3693
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link