RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
3693
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link