RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2632
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link