RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3810
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link