RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3606
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link