RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2199
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link