RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2026
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link