RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2823
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link