RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3439
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link