RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
71
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
1650
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link