RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
65
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2170
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link