RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3279
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link