RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3279
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link