RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
1875
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link