RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2605
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link