RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2680
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link