RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
4046
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link