RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
43
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
4046
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link