RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
18.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
4046
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link