RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3393
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link