RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
31
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3711
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link