Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
    Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 24
    Wokół strony -9% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.3 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    17.3 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.0 left arrow 19.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 17.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2925 left arrow 3653
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania