RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link