RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
34
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2927
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link