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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
17.4
15.9
写入速度,GB/s
12.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2927
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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