RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
31
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3100
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link