RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2622
2283
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link