RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2865
3537
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link