RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
3169
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link