RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2291
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link