RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
1855
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link