RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
2740
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link