RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
2740
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link