RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
3692
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link