RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2763
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link