RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2927
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link