RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3206
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link