RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
1890
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link