RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
63
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2248
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link