RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
63
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
50
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2248
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link