RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2104
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link