RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2104
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link