RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3671
2416
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link