RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
15.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3867
2200
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link