RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2806
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link