RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
69
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2537
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link