RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3459
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link