RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2553
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link