RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2528
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link